微弧氧化
在微弧氧化过程中，化学氧化、电化学氧化、等离子体氧化同时存在，因此陶瓷层的形成过程非常复杂，至今还没有一个合理的模型能全描述陶瓷层的形成。
温度对微弧氧化的影响
微弧氧化与阳极氧化不同，所需温度范围较宽。一般为10—90度。温度越高，手机壳微弧氧化技术，成膜越快，但粗糙度也增加。且温度高，会形成水气。一般建议在20—60度。由于微弧氧化以热能形式释放，微弧氧化技术设备，所以液体温度上升较快，微弧氧化技术要求，微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。所以微弧氧化过程中一定要控制好温度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技术、微弧氧化电源
1、微弧氧化可以一次完成，也可以分几次完成。---对于氧化膜要求很厚的样品可以分几次氧化，而阳极氧化一旦中断就必须重新开始。
2、在阳极氧化不易成膜的某些铝合金如al-cu、al-si等合金表面，同样可获得性能---的厚膜，尤其在al-cu合金表面（如ly12合金），可以形成高硬度的厚膜，hv可达到1600以上。微弧氧化电源、微弧氧化技术、微弧氧化设备、微弧氧化电源
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